4N60C為N溝道增強型高壓功率MOS場效應管。該產品廣泛適用于AC-DC開關電源， DC-DC電源轉換器，高壓H橋PMW馬達驅動。

產品特點：

4A,600V，RDS(on)(典型值）1.97Ω

低電荷、低反向傳輸電容

開關速度快

漏—漏電壓（VDS）:600V

漏電流(ID):4A

柵源電壓（VGS）:±30V

耗散功率（PD）:36W

結溫（TJ）:150℃

儲存溫度(Tstg):-55~150℃

詳細參數：請參照產品規格書或直接來電咨詢

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—緣體(insulator)—半導體。

　　雙型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

　　場效應管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影一個電場在一個緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個緣體，所以FET管的GATE電流小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE下的緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙型晶體管。